Europe’s second chance on AI: building an opportunity in factories, labs, and the real economy

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首先,Now, if you look within a DRAM, the circuit behind every DQ pin is made up of a set of parallel 240Ω resistor legs, as shown in Figure 4. Because of the nature of CMOS devices, these resistors are never exactly 240Ω. The resistance is even affected due to voltage and temperature changes. So, they are made tunable.

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关于作者

李娜,资深行业分析师,长期关注行业前沿动态,擅长深度报道与趋势研判。

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网友评论

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